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英特尔宣布7nm技术的延迟让业界大失所望现在7nm又有了新的进展

2021-09-01 18:11:47    来源:IT之家    阅读量:6047   

今年7月,英特尔公布了最新的半导体制造工艺和先进封装路线图:预计4年内完成5个工艺节点的推广,并在高NA EUV,3D—IC,小芯片,混合键合等领域提出新的战略目标。

在公布路线的当天,雷锋com对此做了深刻的解读可是,这份显示英特尔雄心的战略路线图仍有许多细节有待探索

最近几天,在接受国外半导体媒体Semiconductor Engineering采访时,英特尔高级副总裁兼技术开发部总经理Ann Kelleher进一步探讨了英特尔的最新路线图,并回答了许多战略细节。

英特尔高级副总裁兼技术开发部总经理安凯莱赫

制作新路由需要6个月,现在是重命名节点的最佳时机

在英特尔发布的最新路线图中,最引人注目的是工艺节点的命名更新,称为英特尔7,英特尔4,英特尔3,英特尔18A和英特尔20A,而不是采用10纳米和7纳米的命名规则。

其实改变命名方式是为了消除英特尔乃至整个芯片行业的误解凯莱赫表示,整个行业在节点命名上已经不再一致,如果仔细查阅相关论文,就能找到为什么英特尔10nm相当于TSMC 7nm的最佳答案

因此,我们必须考虑我们能做些什么,让客户更容易理解和权衡现在,当客户再次看到我们的流程节点名称时,他们可以做出更好的决策

今年3月,英特尔宣布了IDM2.0的愿景,并在过去半年花费大量精力制定了详细的路线图。

路线图阐明了我们将如何重新获得业绩领先地位既然我们要迁移到IDM2.0,现在就是重命名的最佳时机凯莱赫还表示,目前公司重点在转型升级,讲解节点名称不是重点

凯莱赫有信心,他终于可以重新获得他在表演上的领先地位。

凯莱赫表示,首先,英特尔已经确定了项目路线,正在投入大量资金和研究,其次,英特尔的技术开发部门拥有世界一流的工程师,并正在转向行业标准来提供设计支持。

去年底,英特尔宣布7nm技术的延迟让业界大失所望,现在7nm又有了新的进展。

当时,我们在整体工艺开发和缺陷密度方面树立了新的里程碑,并开始研究和简化制造工艺我们在这个过程中增加了EUV的使用,今年我们可以从原来的版本切换到新版本凯莱赫说

在英特尔工艺路线图中,计划今年年底发布英特尔7,2022年投产英特尔4,2023年发布基于英特尔4的相关产品,英特尔3将于2023年下半年推出,2024年推出英特尔20A,随后推出英特尔18A。

从一个节点到下一个节点,性能功耗比增益优于其他任何节点,可以在一定程度上弥补外部竞争标杆的时间差距可是,如果你想赶上并继续前进,你需要向前迈一步有了这张可靠的路线图,我们就能实现这一目标

为了保持EUV的竞争优势,三年前决定投资高数值孔径的EUV掩模对准器

在英特尔公布的逻辑路线图中,连同工艺路线,英特尔将在2024年推出全新的晶体架构Ribbon FET。

带状FET是行业内Gate—全能的另一个名称,有人称之为Nanosheet或Nanoribbon,是继FinFET之后的下一代晶体管架构在英特尔3之前,我们一直在使用FinFET,并将继续改进工艺当英特尔20A实现后,我们将在与行业内其他产品大致相同的等效节点上使用RibbonFET凯莱赫这么说

作为IDM,英特尔引入Gate全能技术的时间晚于三星计划在3nm工艺中引入Gate全能技术的时间在这方面,凯莱赫解释说,基于内部优化,我们知道我们可以对FinEFT路线图进行额外的改进,那么为什么不在过渡到新架构之前获得这些好处呢在进入过渡阶段之前,我们可以从现有的FinFET中获得更多

由于晶体管架构的升级,芯片制造过程面临着EUV和电源的问题英特尔如何解决这些问题凯莱赫在这次采访中给出了答案

最近几年来,EUV逐渐成熟,并广泛应用于芯片制造,使得几何图形的图案化变得更加容易在EUV发展初期,最关键的问题是能否实现多层图案化如今,这一领域的进步已成为实现全面之门的关键驱动因素

除了上述问题,还必须根据功能区本身和要达到的高度来考虑堆叠高度,还必须考虑如何处理衬底及其隔离这些都是需要解决的问题我们有办法应对挑战,减少缺陷,并在一定时间内完成交付

凯莱赫还表示,英特尔在制造英特尔20A时,仍然可以使用TSMC的0.33数值孔径的掩模对准器完成光刻,直到2025年才会使用与ASML合作开发的高数值孔径的EUV。

"此外,我们还将混合EUV,高数值孔径EUV等浸没式和干式掩模对准器."

>事实上,英特尔对高数值孔径 EUV 的关注在三年前已初现端倪 —— 同 ASML 探讨下一代 EUV 光刻机并决定进行秘密投资。

高数值孔径 EUV 能够图案化更小的几何形状和更小的间距,还可以延长双图案 EUV我们已经签约了第一批设备我们没有在 10nm,即 Intel 7 上使用 EUV,但将在 Intel 4 制造过程中使用 EUV 光刻机

我们希望在向前发展的过程中,能够保持 EUV 的领先优势。

在电源方面,英特尔则是采用一项创新技术 PowerVia 这项供电技术能够从晶圆背面提供电力,为晶圆正面腾出更对空间,不会对功率造成影响

改变合作方式,提供点菜服务

获得客户信任是英特尔向 IDM2.0 升级的重要一步,因此英特尔将如何处理同其他企业的关系也备受关注此次对话中,Kelleher 表示,英特尔改变了与设备供应商,材料供应商和 EDA 供应商的合作方式

设备供应商已经取得很多被行业检验的成功经验,因此我们不需要再在设备上做创新有可能的情况下,我们要从生态系统中汲取最好的经验,以便于我们能够集中资源在我们擅长且领先的领域做出创新

此外,我们在风险评估方面做了很多工作通过风险评估,我们可以决定需要制定哪些类型的应急计划以及为计划准备的时间

而在将为客户提供服务的方式上,Kelleher 表示,英特尔正试图在给定的时间为客户提供尽可能好的产品。

我们更像是一个可以点菜的菜单而不是固定的菜单我们的设计,制造封装团队就如何在未来做出最好的产品进行了大量积极的讨论,发现实现之一目标的方法有很多,供应链本身也变得更加复杂接下来我们将根据特定产品及其特定功能,讨论如何使用最佳的制造工艺和供应链实现这一目标

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